要使DRAM正常工作，就必须对80C186XL中与DRAM刷新有关的寄存器进行正确编程。这些寄存器包括：刷新时钟间隔寄存器（RFTIME寄存器）、刷新基地址寄存器（RFbase寄存器）和刷新控制寄存器（RFCON寄存器）。 刷新时钟间隔寄存器（RFTIME寄存器）的编程公式为：Trefresh×fcpu/（Rrow+Rrows×补偿因子）。V53C8258的技术参数规定，其刷新周期Trefresh为8ms，存储阵列行数Rrows为512。考虑到RCU取得总线控制权的延时，补偿因子取0.05。因此，微处理器在fcpu=20MHz工作频率下，RFTIME寄存器的取值为：0.008×20×106/（512+512×0.05），约为297. 刷新基地址寄存器（RFbase寄存器）的编程。该寄存器的高7位，规定了DRAM容量大小。系统使用两片V53C8258情况下，RFbase的取值为00H，DRAM占用微处理器的存储空间的00000H～7FFFFH（512KB）。 **通过将刷新控制寄存器（RFCON寄存器）的REN位置位，来启动刷新控制单元。 若使用80C186XL的节电模式，则要求